Каталог государственных стандартов




[1] (найдено 18 объектов)

НомерНазвание Дата введенияСтатус
ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей01.07.1981действующий
Название (англ.): Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции
ГОСТ 2169-69 Кремний технический. Технические условия01.07.1970действующий
Название (англ.): Silicon technical. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей
ГОСТ 19014.0-73 Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа01.01.1975действующий
Название (англ.): Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния
ГОСТ 19014.1-73 Кремний кристаллический. Методы определения алюминия01.01.1975действующий
Название (англ.): Crystal silicon. Methods of aluminium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.2-73 Кремний кристаллический. Методы определения железа01.01.1975действующий
Название (англ.): Crystal silicon. Methods of iron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.3-73 Кремний кристаллический. Методы определения кальция01.01.1975действующий
Название (англ.): Crystal silicon. Methods of calcium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.4-73 Кремний кристаллический. Методы определения титана01.01.1975действующий
Название (англ.): Crystal silicon. Methods of titanium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия01.01.1983действующий
Название (англ.): Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник
ГОСТ 22265-76 Материалы проводниковые. Термины и определения01.01.1978действующий
Название (англ.): Conductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе
ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров01.07.1978действующий
Название (англ.): Semiconductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов
ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана01.01.1986действующий
Название (англ.): Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом

[1] (найдено 18 объектов)