Каталог государственных стандартов




[1] (найдены 4 объекта)

НомерНазвание Дата введенияСтатус
ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров01.07.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости01.01.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения01.07.1977действующий
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры01.01.1982действующий
Название (англ.): Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров

[1] (найдены 4 объекта)