| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19834.0-75 | Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей | |||
| ГОСТ 19834.2-74 | Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения; методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19834.3-76 | Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |||
| ГОСТ 24352-80 | Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров | |||
