ГОСТЫ: ЭЛЕКТРОНИКА Страница 8




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 . . . 26 (найден 801 объект)

НомерНазвание Дата введенияСтатус
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения01.01.1982действующий
Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1975действующий
Название (англ.): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
ГОСТ 20186-74 Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры01.07.1975действующий
Название (англ.): Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия01.01.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
ГОСТ 20249-80 Пластины и магнитопроводы пластинчатые для трансформаторов и дросселей. Типы и основные размеры01.01.1982действующий
Название (англ.): Plates and platemade magnetoframes designed for transformers and throttles. Types and main dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на пластины и пластинчатые магнитопроводы из электротехнических сталей и ферромагнитных сплавов, применяемые в трансформаторах и дросселях радиоэлектронной аппаратуры и аппаратуры проводной связи.
Стандарт не распространяется на пластины и пластинчатые магнитопроводы с шириной среднего и боковых стержней более 40 мм
ГОСТ 20265-83 Соединители радиочастотные коаксиальные. Присоединительные размеры01.01.1985действующий
Название (англ.): Coaxial radio-frequency connectors. Coupling dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на радиочастотные коаксиальные соединители и устанавливает присоединительные размеры
ГОСТ 20271.1-91 Изделия электронные СВЧ. Методы измерения электрических параметров01.07.1992действующий
Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ, криоэлектронные изделия СВЧ и изделия СВЧ с термоэлектронным охлаждением, работающие в диапазоне частот от 0,03 до 178,6 ГГц, и устанавливает методы измерения электрических параметров, общих для этих изделий
ГОСТ 20271.3-91 Изделия электронные СВЧ. Методы измерения параметров модулирующего импульса01.07.1992действующий
Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring of modulating impulse parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ и устанавливает следующие методы измерения параметров модулирующего импульса прямоугольной формы (амплитуды импульса, амплитуды апроксимированного импульса, длительности импульса, длительности фронта импульса, длительности спада импульса, скоса импульса, выброса на вершине импульса, пульсации импульса, выброса обратной полярности в паузе, выброса прямой полярности в паузе):
- осциллографический метод;
- компенсационный метод для измерения амплитуды модулирующего импульса;
- метод пикового вольтметра для измерения амплитуды модулирующего импульса;
- метод мгновенных амплитуд напряжения на стробируемых интервалах длительности импульса
ГОСТ 20281-74 Микромодули этажерочной конструкции. Методы измерения электрических параметров01.01.1976действующий
Название (англ.): Micromodules of stacked and spaced construction. Measuring methods of electrical characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на микромодули этажерочной конструкции и устанавливает методы измерения электрических параметров микромодулей.
Настоящий стандарт не распространяется на микромодули, представляющие собой сборки микроэлементов и имеющие электрические параметры, свойственные микроэлементам
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1985действующий
Название (англ.): Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров01.07.1984действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока01.07.1976действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме01.01.1982действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме01.01.1982действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума01.01.1982действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока01.01.1982действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток01.01.1982действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока01.01.1990действующий
Название (англ.): Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением
ГОСТ 20406-75 Платы печатные. Термины и определения01.01.1976действующий
Название (англ.): Printed boards. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий печатных плат.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательные для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе
ГОСТ 20412-75 Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения01.01.1976действующий
Название (англ.): Oscillator, modulator and regulation tube. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области генераторных, модуляторных и регулирующих ламп.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе
ГОСТ 20526-82 Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения01.01.1983действующий
Название (англ.): Vacuum photoelectronic devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий фотоумножителей и фотоэлементов. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
ГОСТ 20724-83 Приборы газоразрядные. Термины и определения01.07.1984действующий
Название (англ.): Gas-discharage devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области газоразрядных приборов.
Стандарт не распространяется на газовые ионизационные детекторы ионизирующих излучений, газоразрядные источники высокоинтенсивного оптического излучения, газоразрядные приборы СВЧ и газоразрядные знакосинтезирующие индикаторы
ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования01.01.1990действующий
Название (англ.): Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
ГОСТ 20862-81 Стойки установочные крепежные шестигранные с резьбовыми концом и отверстием. Конструкция и размеры01.07.1982действующий
Название (англ.): Adjusting fixturing hexahedral supports with theaded end and hole. Design and dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на шестигранные крепежные установочные стойки с резьбовыми концом и отверстием, предназначенные для монтажа радиоэлектронной аппаратуры, и устанавливает их конструкцию и размеры
ГОСТ 20863-81 Стойки установочные крепежные круглые с лысками с резьбовыми концом и отверстием. Конструкция и размеры01.07.1982действующий
Название (англ.): Adjusting fixturing rings supports with a flat, threaded end and hole. Design and dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на круглые крепежные установочные стойки с лысками и резьбовыми концом и отверстием, предназначенные для монтажа радиоэлектронной аппаратуры, и устанавливает их конструкцию и размеры

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 . . . 26 (найден 801 объект)

Наши события