| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 14949-69 | Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices | |||
| ГОСТ 15172-70 | Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | 01.07.1970 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. List of basic and reference electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров | |||
| ГОСТ 16947-71 | Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Transistors type Гt701a for wide using equipment | |||
| ГОСТ 17466-80 | Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров | |||
| ГОСТ 18604.0-83 | Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений | |||
| ГОСТ 18604.1-80 | Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.2-80 | Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах | |||
| ГОСТ 18604.3-80 | Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности | |||
| ГОСТ 18604.4-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 01.10.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.5-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.6-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.7-74 | Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току) | |||
| ГОСТ 18604.8-74 | Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой) | |||
| ГОСТ 18604.9-82 | Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока | 01.01.1984 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока | |||
| ГОСТ 18604.10-76 | Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления | 01.01.1978 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 | |||
| ГОСТ 18604.11-88 | Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на высоких и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст. минус 4 до 12,0 ГГц | |||
| ГОСТ 18604.13-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы:
измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности и определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора | |||
| ГОСТ 18604.14-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.15-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.16-78 | Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | 01.07.1979 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | |||
| ГОСТ 18604.19-88 | Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения | |||
| ГОСТ 18604.20-78 | Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте | 01.01.1980 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц; способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц | |||
| ГОСТ 18604.22-78 | Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер | 01.01.1980 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах | |||
| ГОСТ 18604.23-80 | Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков | |||
| ГОСТ 18604.24-81 | Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя) | |||
| ГОСТ 18604.26-85 | Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров | 01.07.1986 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения | |||
| ГОСТ 18604.27-86 | Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) | 01.07.1987 | действующий |
| Название (англ.): Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения | |||
| ГОСТ 19095-73 | Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Field effect transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов | |||
| ГОСТ 20003-74 | Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок | |||
| ГОСТ 20398.0-83 | Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов | |||
| ГОСТ 20398.1-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.2-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума | |||
