| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19656.13-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19656.14-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты | |||
| ГОСТ 19656.15-84 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений | |||
| ГОСТ 19656.16-86 | Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме | |||
| ГОСТ 19834.4-79 | Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения | |||
| ГОСТ 19834.5-80 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении | |||
| ГОСТ 20215-84 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды | |||
| ГОСТ 23448-79 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов | |||
| ГОСТ 25529-82 | Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов | |||
| ГОСТ 28625-90 | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы | |||
| ГОСТ 29209-91 | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением | |||
| ГОСТ 29210-91 | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации | |||
