| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 20398.3-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.4-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.5-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.6-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора |
| ГОСТ 20398.7-74 |
Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки |
| ГОСТ 20398.8-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока |
| ГОСТ 20398.9-80 |
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме |
| ГОСТ 20398.10-80 |
Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме |
| ГОСТ 20398.11-80 |
Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума |
| ГОСТ 20398.12-80 |
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА |
| ГОСТ 20398.13-80 |
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора |
| ГОСТ 20398.14-88 |
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением |
| ГОСТ 27264-87 |
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действующий |
| Название (англ.): Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров |
