| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19834.2-74 | Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения; методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19834.3-76 | Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |||
| ГОСТ 19834.4-79 | Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения | |||
| ГОСТ 19834.5-80 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении | |||
| ГОСТ 19869-74 | Фонограммы магнитные на 35-мм перфорированной ленте. Размеры и расположение дорожек записи и магнитных головок. Технические требования | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Magnetic sound records on 35-mm perforated film. Dimensions and location of magnetic sound records and magnetic heads. Technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на одно-, трех-, четырех- и шестидорожечные магнитные фонограммы на 35-мм перфорированной ленте, записанные со скоростью
45,6 см/с и используемые в процессе производства кинофильмов, и устанавливает размеры, расположение и нумерацию дорожек записи, а также длину и расположение рабочих зазоров магнитных головок для записи, воспроизведения и стирания фонограмм, технические требования и методы испытаний | |||
| ГОСТ 19871-83 | Каналы изображения аппаратно-студийного комплекса и передвижной телевизионной станции вещательного телевидения. Основные параметры и методы измерений | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Picture channels of production apparatus area and outside broadcast unit of broadcast television. Basic parameters and measuring methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на каналы изображения аппаратно-студийных комплексов (АСК ЦТ) и передвижных телевизионных станций (ПТС ЦТ) аналогового цветного вещательного телевидения, разработанных до 1985 г., и устанавливает основные параметры каналов изображения АСК ЦТ и ПТС ЦТ и методы их измерений.
Стандарт не распространяется на: каналы изображения, в которых производятся запись и воспроизведение телевизионных сигналов; каналы изображения, в которых производится преобразование систем цветного телевидения; каналы изображения, в которых используются репортажные телевизионные датчики; каналы изображения репортажных телевизионных станций | |||
| ГОСТ 20003-74 | Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок | |||
| ГОСТ 20009-74 | Держатель коммутаторной лампы. Технические условия | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Switchboard lamp holder. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на держатель коммутаторной лампы, применяемый в аппаратуре связи для работы в следующих условиях:
температура окружающего воздуха от 213 (минус 60) до 343 К (плюс 70 град. С) и относительная влажность до 85%; относительная влажность окружающего воздуха до 100% при температуре до 308 К (35 град. С); атмосферное давление не менее 53600 Па (400 мм рт. ст.); воздействие вибрации в диапазоне частот от 1 до 600 Гц с ускорением до 98,1 м м/с кв. (10 g); воздействие ударной нагрузки с ускорением до 735 м/с кв. (10 g); воздействие инея и росы. Настоящий стандарт применять только для изготовления запасных частей и ремонта аппаратуры, находящейся в эксплуатации | |||
| ГОСТ 20186-74 | Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров | |||
| ГОСТ 20215-84 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды | |||
| ГОСТ 20249-80 | Пластины и магнитопроводы пластинчатые для трансформаторов и дросселей. Типы и основные размеры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Plates and platemade magnetoframes designed for transformers and throttles. Types and main dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на пластины и пластинчатые магнитопроводы из электротехнических сталей и ферромагнитных сплавов, применяемые в трансформаторах и дросселях радиоэлектронной аппаратуры и аппаратуры проводной связи.
Стандарт не распространяется на пластины и пластинчатые магнитопроводы с шириной среднего и боковых стержней более 40 мм | |||
| ГОСТ 20265-83 | Соединители радиочастотные коаксиальные. Присоединительные размеры | 01.01.1985 | действующий |
| Название (англ.): Coaxial radio-frequency connectors. Coupling dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на радиочастотные коаксиальные соединители и устанавливает присоединительные размеры | |||
| ГОСТ 20271.1-91 | Изделия электронные СВЧ. Методы измерения электрических параметров | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ, криоэлектронные изделия СВЧ и изделия СВЧ с термоэлектронным охлаждением, работающие в диапазоне частот от 0,03 до 178,6 ГГц, и устанавливает методы измерения электрических параметров, общих для этих изделий | |||
| ГОСТ 20271.3-91 | Изделия электронные СВЧ. Методы измерения параметров модулирующего импульса | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring of modulating impulse parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ и устанавливает следующие методы измерения параметров модулирующего импульса прямоугольной формы (амплитуды импульса, амплитуды апроксимированного импульса, длительности импульса, длительности фронта импульса, длительности спада импульса, скоса импульса, выброса на вершине импульса, пульсации импульса, выброса обратной полярности в паузе, выброса прямой полярности в паузе):
- осциллографический метод; - компенсационный метод для измерения амплитуды модулирующего импульса; - метод пикового вольтметра для измерения амплитуды модулирующего импульса; - метод мгновенных амплитуд напряжения на стробируемых интервалах длительности импульса | |||
| ГОСТ 20281-74 | Микромодули этажерочной конструкции. Методы измерения электрических параметров | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Micromodules of stacked and spaced construction. Measuring methods of electrical characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на микромодули этажерочной конструкции и устанавливает методы измерения электрических параметров микромодулей.
Настоящий стандарт не распространяется на микромодули, представляющие собой сборки микроэлементов и имеющие электрические параметры, свойственные микроэлементам | |||
| ГОСТ 20332-84 | Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1985 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе | |||
| ГОСТ 20337-74 | Приборы рентгеновские. Термины и определения | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): X-ray devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий в области рентгеновских приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности | |||
| ГОСТ 20398.0-83 | Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов | |||
| ГОСТ 20398.1-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.2-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума | |||
| ГОСТ 20398.3-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.4-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.5-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.6-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора | |||
| ГОСТ 20398.7-74 | Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки | |||
| ГОСТ 20398.8-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока | |||
| ГОСТ 20398.9-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме | |||
| ГОСТ 20398.10-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме | |||
| ГОСТ 20398.11-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума | |||
| ГОСТ 20398.12-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА | |||
| ГОСТ 20398.13-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора | |||
| ГОСТ 20398.14-88 | Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением | |||
