| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19138.1-85 | Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Method for measuring switching voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает метод измерения напряжения переключения.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры | |||
| ГОСТ 19138.2-85 | Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring trigger direct and peak gate current and trigger direct and peak gate voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры | |||
| ГОСТ 19138.3-85 | Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring turn-off time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени выключения.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры | |||
| ГОСТ 19138.4-73 | Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на диодные тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки | |||
| ГОСТ 19138.5-85 | Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры | |||
| ГОСТ 19138.6-86 | Тиристоры. Методы измерения электрических параметров | 01.07.1987 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Methods for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения:
критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии; тока удержания и тока включения; постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного и повторяющегося импульсного обратного тока; постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии; неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры | |||
| ГОСТ 19138.7-74 | Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Measurement method of peak gate turn-off current, peak gate turn-off voltage, peak turn-off coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания | |||
| ГОСТ 19656.0-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of electrical parameters. General conditions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает общие положения при измерениях электрических параметров на сверхвысоких частотах | |||
| ГОСТ 19656.1-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement method of voltage standing-wave ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
| ГОСТ 19656.2-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement method of rectified current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
| ГОСТ 19656.3-74 | Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of output impedance at an intermediate frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте:
метод сравнения; метод импедансного моста | |||
| ГОСТ 19656.4-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of conversion losses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования:
дифференциальный матод; метод амплитудной модуляции. Методы измерений потерь преобразований в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов | |||
| ГОСТ 19656.5-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement methods of output noise ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает 2 метода измерения шумового отношения при возбуждении диода:
СВЧ мощностью (в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц); постоянным током | |||
| ГОСТ 19656.6-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of standard overall noise figure Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц два метода измерения нормированного коэффициента шума Fнорм:
метод шумового генератора; метод определения Fнорм по измененным значениям потерь преобразования и шумового отношения | |||
| ГОСТ 19656.7-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
| ГОСТ 19656.9-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты:
метод четырехполюсника; метод последовательного резонанса диода; резонаторный метод. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере | |||
| ГОСТ 19656.10-88 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод | |||
| ГОСТ 19656.12-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления | |||
| ГОСТ 19656.13-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19656.14-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты | |||
| ГОСТ 19656.15-84 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений | |||
| ГОСТ 19656.16-86 | Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме | |||
| ГОСТ 19834.0-75 | Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей | |||
| ГОСТ 19834.2-74 | Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения; методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19834.3-76 | Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |||
| ГОСТ 19834.4-79 | Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения | |||
| ГОСТ 19834.5-80 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении | |||
| ГОСТ 20003-74 | Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок | |||
| ГОСТ 20215-84 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды | |||
| ГОСТ 20332-84 | Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1985 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе | |||
| ГОСТ 20398.0-83 | Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов | |||
| ГОСТ 20398.1-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
