| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 20398.2-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума | |||
| ГОСТ 20398.3-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.4-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.5-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.6-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора | |||
| ГОСТ 20398.7-74 | Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки | |||
| ГОСТ 20398.8-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока | |||
| ГОСТ 20398.9-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме | |||
| ГОСТ 20398.10-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме | |||
| ГОСТ 20398.11-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума | |||
| ГОСТ 20398.12-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА | |||
| ГОСТ 20398.13-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора | |||
| ГОСТ 20398.14-88 | Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением | |||
| ГОСТ 20859.1-89 | Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений | |||
| ГОСТ 21934-83 | Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе | |||
| ГОСТ 23448-79 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов | |||
| ГОСТ 23900-87 | Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более | |||
| ГОСТ 24041-80 | Таситроны. Основные параметры | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания | |||
| ГОСТ 24173-80 | Тиристоры. Основные параметры | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Thyristors. Essential parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров | |||
| ГОСТ 24352-80 | Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров | |||
| ГОСТ 24376-91 | Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.01.1992 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor inverters. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью | |||
| ГОСТ 24461-80 | Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках | |||
| ГОСТ 24607-88 | Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor frequency converters. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями | |||
| ГОСТ 25529-82 | Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов | |||
| ГОСТ 27264-87 | Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действующий |
| Название (англ.): Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров | |||
| ГОСТ 27299-87 | Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1988 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности | |||
| ГОСТ 27591-88 | Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.01.1989 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей | |||
| ГОСТ 28167-89 | Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor alternating voltage converters. General specifications | |||
| ГОСТ 28578-90 | Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods Область применения: Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам) | |||
| ГОСТ 28623-90 | Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем | |||
| ГОСТ 28624-90 | Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices Область применения: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов | |||
| ГОСТ 28625-90 | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы | |||
