ГОСТЫ: Элементы радиоэлектронной аппаратуры Страница 3




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 . . . 18 (найдено 576 объектов)

НомерНазвание Дата введенияСтатус
ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения01.01.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки
ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока.
Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки
ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод
ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring transition time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные диоды и умножительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения времени выключения
ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления
ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring life time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ
ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления
ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления01.01.1975действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности01.07.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн
ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь01.07.1985действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
для туннельных диодов
ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода01.07.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости
ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора01.07.1976действующий
Название (англ.): Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений01.07.1986действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны
ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации01.01.1977действующий
Название (англ.): Reference diodes. Method of measuring stabilization voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения напряжения стабилизации
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока01.01.1974действующий
Название (англ.): Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации01.07.1974действующий
Название (англ.): Reference diodes. Method of measuring of temperature coefficient of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
ГОСТ 18986.18-73 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости01.07.1974действующий
Название (англ.): Variable capacitance diodes. Method of measuring temperature coefficient of capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы, предназначенные для работы в диапазоне частот 0,25-1000 Гц, и устанавливает метод измерения температурного коэффициента емкости
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности01.01.1975действующий
Название (англ.): Variable capacitance diodes. Method for measuring the quality factor Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы емкостью более 4 пФ в диапазоне частот 0,25-1000 МГц и устанавливает два метода измерения добротности варикапов
ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим01.01.1979действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Reference zener diodes. Method for measuring warm up time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения времени выхода стабилитронов на режим tвых. и требования безопасности
ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации01.01.1980действующий
Название (англ.): Reference diodes and stabistors. Method for measuring time drift of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления01.01.1980действующий
Название (англ.): Reference diodes. Methods for measuring differential resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе
ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума01.01.1982действующий
Название (англ.): Zener diodes. Methods for measuring spectral noise density Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения спектральной плотности шума:
метод 1 применяют при измерении спектральной плотности шума стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 5 Гц - 30 МГц;
метод 2 применяют при измерении спектральной плотности шума прецизионных стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 0,01-5 Гц
ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения01.07.1984действующий
Название (англ.): Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения
ГОСТ 19138.0-85 Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров01.01.1987действующий
Название (англ.): Thyristors. General requirements for methods of measuring parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает общие требования к методам измерения параметров.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.1-85 Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения01.01.1987действующий
Название (англ.): Thyristors. Method for measuring switching voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает метод измерения напряжения переключения.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.2-85 Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления01.01.1987действующий
Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring trigger direct and peak gate current and trigger direct and peak gate voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.3-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения01.01.1987действующий
Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring turn-off time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени выключения.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки01.07.1975действующий
Название (англ.): Thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на диодные тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки
ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки01.01.1987действующий
Название (англ.): Triode thyristors. Method for measuring turn-on, rise and delay time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные тиристоры и устанавливает метод измерения времени включения, нарастания и задержки.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров01.07.1987действующий
Название (англ.): Thyristors. Methods for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения:
критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии;
тока удержания и тока включения;
постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного и повторяющегося импульсного обратного тока;
постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии;
неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров.
Стандарт не распространяется на силовые тиристоры
ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания01.07.1975действующий
Название (англ.): Thyristors. Measurement method of peak gate turn-off current, peak gate turn-off voltage, peak turn-off coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 . . . 18 (найдено 576 объектов)

Наши события