| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19656.10-88 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод | |||
| ГОСТ 19656.12-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления | |||
| ГОСТ 19656.13-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19656.14-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты | |||
| ГОСТ 19656.15-84 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений | |||
| ГОСТ 19656.16-86 | Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме | |||
| ГОСТ 19748.2-74 | Трубки электронно-лучевые функциональные. Методы измерения основных параметров | 01.01.1976 | действующий |
| Область применения: Настоящий стандарт распространяется на функциональные электронно-лучевые трубки с электростатическим отклонением и фокусировкой луча, предназначенные для получения функции двух аргументов Z=f (x, y), и устанавливает методы измерения следующих основных параметров:
тока коллектора, соответствующего максимальному значению функции; средней погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции; максимальной погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции | |||
| ГОСТ 19761-81 | Переключатели и выключатели модульные кнопочные и клавишные. Общие технические условия | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Push-button and key module switches and circuit breakers. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на модульные кнопочные и клавишные переключатели, предназначенные для коммутации электрических цепей постоянного и переменного токов до 2 А, напряжением до 400 В, частотой до 20 МГц, а также на выключатели, предназначенные для коммутации электрических цепей постоянного и переменного токов до 4 А, напряжением до 250 В, частотой 50 Гц | |||
| ГОСТ 19785-74 | Трубки электронно-лучевые осциллографические. Методы измерения основных параметров | заменён | |
| Название (англ.): Oscillographic electron-beam tubes. Methods for measurement of basic parameters | |||
| ГОСТ 19785-88 | Трубки электронно-лучевые приемные. Методы измерения и контроля параметров | 01.01.1989 | действующий |
| Название (англ.): Cathode-ray tubes for reception. Methods for measurement and control of parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на приемные электронно-лучевые трубки следующих видов: осциллографические, индикаторные, фоторегистрирующие, просвечивающие, проекционные катодолюминесцентные, монохромные и цветные кинескопы, в том числе телевизионные и дисплейные (трубки).
Стандарт не распространяется на сверхвысокочастотные осциллографические трубки, разработанные до 01.07.89, а также на приемные трубки производственно-технического назначения и широкого применения следующих видов: кинескопы черно-белого изображения; масочные трехпрожекторные кинескопы цветного изображения. Для измерения параметров монохромных и цветных дисплейный кинескопов, разработанных до 01.07.91, допускаются по согласованию с заказчиком (потребителем) применение методов, изложенных в ТУ на трубки | |||
| ГОСТ 19798-74 | Фотоэлементы. Общие технические условия | 01.07.1975 | действующий |
| Название (англ.): Photocells. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта | |||
| ГОСТ 19799-74 | Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители | |||
| ГОСТ 19834.0-75 | Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей | |||
| ГОСТ 19834.2-74 | Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения; методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный | |||
| ГОСТ 19834.3-76 | Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |||
| ГОСТ 19834.4-79 | Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения | |||
| ГОСТ 19834.5-80 | Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении | |||
| ГОСТ 20215-84 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды | |||
| ГОСТ 20271.1-91 | Изделия электронные СВЧ. Методы измерения электрических параметров | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ, криоэлектронные изделия СВЧ и изделия СВЧ с термоэлектронным охлаждением, работающие в диапазоне частот от 0,03 до 178,6 ГГц, и устанавливает методы измерения электрических параметров, общих для этих изделий | |||
| ГОСТ 20271.3-91 | Изделия электронные СВЧ. Методы измерения параметров модулирующего импульса | 01.07.1992 | действующий |
| Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring of modulating impulse parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ и устанавливает следующие методы измерения параметров модулирующего импульса прямоугольной формы (амплитуды импульса, амплитуды апроксимированного импульса, длительности импульса, длительности фронта импульса, длительности спада импульса, скоса импульса, выброса на вершине импульса, пульсации импульса, выброса обратной полярности в паузе, выброса прямой полярности в паузе):
- осциллографический метод; - компенсационный метод для измерения амплитуды модулирующего импульса; - метод пикового вольтметра для измерения амплитуды модулирующего импульса; - метод мгновенных амплитуд напряжения на стробируемых интервалах длительности импульса | |||
| ГОСТ 20281-74 | Микромодули этажерочной конструкции. Методы измерения электрических параметров | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Micromodules of stacked and spaced construction. Measuring methods of electrical characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на микромодули этажерочной конструкции и устанавливает методы измерения электрических параметров микромодулей.
Настоящий стандарт не распространяется на микромодули, представляющие собой сборки микроэлементов и имеющие электрические параметры, свойственные микроэлементам | |||
| ГОСТ 20398.0-83 | Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов | |||
| ГОСТ 20398.1-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.2-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума | |||
| ГОСТ 20398.3-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.4-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.5-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) | |||
| ГОСТ 20398.6-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора | |||
| ГОСТ 20398.7-74 | Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки | |||
| ГОСТ 20398.8-74 | Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока | |||
| ГОСТ 20398.9-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме | |||
| ГОСТ 20398.10-80 | Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме | |||
