Номер | Название | Дата введения | Статус |
ГОСТ 19438.17-77 | Лампы электронные маломощные. Методы измерения времени разогрева катода и времени готовности | 01.01.1979 | действующий |
Название (англ.): Low-power electronic tubes and valves. Methods of measurement of cathode heating time and readiness time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на усилительные, выпрямительные, генераторные и модуляторные лампы мощностью, рассеиваемой анодом до 25 Вт. Стандарт устанавливает методы измерения времени разогрева катода по наибольшей скорости увеличения тока анода и времени готовности по заданному значению тока анода | |||
ГОСТ 19438.18-78 | Лампы электронные маломощные. Метод испытания на многократные включения и выключения напряжения накала | 01.07.1979 | действующий |
Название (англ.): Low-power electronic tubes. Test methods for multiple switching on and swit ching off the heating voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на усилительные, выпрямительные и генераторные лампы мощностью, продолжительно рассеиваемой анодом, до 25 Вт, с катодом прямого и косвенного накала, а также вакуумным люминесцентные индикаторы и устанавливает метод испытания на многократные включения и выключения напряжения накала | |||
ГОСТ 19438.19-78 | Лампы электронные маломощные. Методы измерения виброшумов и микрофонного эффекта | 01.07.1979 | действующий |
Название (англ.): Low-power electronic tubes. Measurement of microphone effect by method of shock excitation Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электронные усилительные, выпрямительные и генераторные лампы мощностью, рассеиваемой анодом, до 25 Вт и устанавливает следующие методы измерения напряжения:
виброшумов при вибрации в диапазоне частот; виброшумов при вибрации на одной частоте; микрофонного эффекта при воздействии ударом | |||
ГОСТ 19438.20-79 | Лампы электронные маломощные. Метод измерения температуры баллона | 01.07.1980 | действующий |
Название (англ.): Low powered electronic tubes. Method for measurement of the temperature of the bulb Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электронные усилительные, выпрямительные и генераторные лампы мощностью, продолжительно рассеиваемой анодом, до 25 Вт и устанавливает метод измерения температуры баллона в диапазоне от 50 до 350 град. С | |||
ГОСТ 19438.21-79 | Лампы электронные маломощные для выходных каскадов блоков строчной развертки телевизионных приемников. Методы измерения электрических параметров и испытания на долговечность | 01.07.1981 | действующий |
Название (англ.): Low-power electronic tubes and valves for output cascades of TV line scanninp. Methods of measurement of electrice parametres and test for service time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тетроды, пентоды, демпферные диоды и высоковольтные кенотроны мощностью, рассеиваемой анодом до 25 Вт, предназначенные для использования в выходных каскадах блоков строчной развертки телевизионных приемников | |||
ГОСТ 19480-89 | Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров | 01.01.1991 | действующий |
Название (англ.): Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок | |||
ГОСТ 19656.0-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of electrical parameters. General conditions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает общие положения при измерениях электрических параметров на сверхвысоких частотах | |||
ГОСТ 19656.1-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement method of voltage standing-wave ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
ГОСТ 19656.2-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement method of rectified current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
ГОСТ 19656.3-74 | Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of output impedance at an intermediate frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте:
метод сравнения; метод импедансного моста | |||
ГОСТ 19656.4-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of conversion losses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования:
дифференциальный матод; метод амплитудной модуляции. Методы измерений потерь преобразований в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов | |||
ГОСТ 19656.5-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement methods of output noise ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает 2 метода измерения шумового отношения при возбуждении диода:
СВЧ мощностью (в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц); постоянным током | |||
ГОСТ 19656.6-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of standard overall noise figure Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц два метода измерения нормированного коэффициента шума Fнорм:
метод шумового генератора; метод определения Fнорм по измененным значениям потерь преобразования и шумового отношения | |||
ГОСТ 19656.7-74 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц | |||
ГОСТ 19656.9-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | 01.01.1981 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты:
метод четырехполюсника; метод последовательного резонанса диода; резонаторный метод. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере | |||
ГОСТ 19656.10-88 | Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 01.07.1989 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод | |||
ГОСТ 19656.12-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 01.07.1977 | действующий |
Название (англ.): Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления | |||
ГОСТ 19656.13-76 | Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный | |||
ГОСТ 19656.14-79 | Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты | |||
ГОСТ 19656.15-84 | Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений | |||
ГОСТ 19656.16-86 | Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме | |||
ГОСТ 19726-79 | Сердечники стержневые и трубчатые из магнитомягких ферритов. Основные размеры | 01.01.1981 | действующий |
Название (англ.): Rond and tubular cores of magnetically soft ferrites. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на гладкие нешлифованные стержневые и трубчатые сердечники из магнитомягких ферритов.
Стандарт не распространяется на стержневые и трубчатые сердечники, используемые в качестве подстроечников броневых сердечников, и на сердечники для антенн радиовещательных приемников | |||
ГОСТ 19748.2-74 | Трубки электронно-лучевые функциональные. Методы измерения основных параметров | 01.01.1976 | действующий |
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на функциональные электронно-лучевые трубки с электростатическим отклонением и фокусировкой луча, предназначенные для получения функции двух аргументов Z=f (x, y), и устанавливает методы измерения следующих основных параметров:
тока коллектора, соответствующего максимальному значению функции; средней погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции; максимальной погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции | |||
ГОСТ 19761-81 | Переключатели и выключатели модульные кнопочные и клавишные. Общие технические условия | 01.01.1982 | действующий |
Название (англ.): Push-button and key module switches and circuit breakers. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на модульные кнопочные и клавишные переключатели, предназначенные для коммутации электрических цепей постоянного и переменного токов до 2 А, напряжением до 400 В, частотой до 20 МГц, а также на выключатели, предназначенные для коммутации электрических цепей постоянного и переменного токов до 4 А, напряжением до 250 В, частотой 50 Гц | |||
ГОСТ 19785-74 | Трубки электронно-лучевые осциллографические. Методы измерения основных параметров | заменён | |
Название (англ.): Oscillographic electron-beam tubes. Methods for measurement of basic parameters | |||
ГОСТ 19785-88 | Трубки электронно-лучевые приемные. Методы измерения и контроля параметров | 01.01.1989 | действующий |
Название (англ.): Cathode-ray tubes for reception. Methods for measurement and control of parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на приемные электронно-лучевые трубки следующих видов: осциллографические, индикаторные, фоторегистрирующие, просвечивающие, проекционные катодолюминесцентные, монохромные и цветные кинескопы, в том числе телевизионные и дисплейные (трубки).
Стандарт не распространяется на сверхвысокочастотные осциллографические трубки, разработанные до 01.07.89, а также на приемные трубки производственно-технического назначения и широкого применения следующих видов: кинескопы черно-белого изображения; масочные трехпрожекторные кинескопы цветного изображения. Для измерения параметров монохромных и цветных дисплейный кинескопов, разработанных до 01.07.91, допускаются по согласованию с заказчиком (потребителем) применение методов, изложенных в ТУ на трубки | |||
ГОСТ 19798-74 | Фотоэлементы. Общие технические условия | 01.07.1975 | действующий |
Название (англ.): Photocells. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта | |||
ГОСТ 19799-74 | Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик | 01.01.1976 | действующий |
Название (англ.): Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители | |||
ГОСТ 19834.0-75 | Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей | |||
ГОСТ 19834.2-74 | Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения; методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный | |||
ГОСТ 19834.3-76 | Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |||
ГОСТ 19834.4-79 | Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения |