| Номер | Название | Дата введения | Статус |
| ГОСТ 2.730-73 | Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые | 01.07.1974 | действующий |
| Название (англ.): Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices Область применения: Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности | |||
| ГОСТ 4.137-85 | Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию | |||
| ГОСТ 11630-84 | Приборы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.07.1985 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта | |||
| ГОСТ 14343-69 | Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Semiconductors diodes types of Д 223, Д 223a, Д 223Б for widely used devices | |||
| ГОСТ 14949-69 | Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices | |||
| ГОСТ 15133-77 | Приборы полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности | |||
| ГОСТ 15172-70 | Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | 01.07.1970 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. List of basic and reference electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров | |||
| ГОСТ 15606-70 | Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices | |||
| ГОСТ 16947-71 | Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения | отменён | |
| Название (англ.): Transistors type Гt701a for wide using equipment | |||
| ГОСТ 17465-80 | Диоды полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) | |||
| ГОСТ 17466-80 | Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров | |||
| ГОСТ 17704-72 | Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений | 01.07.1973 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations Область применения: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления | |||
| ГОСТ 17772-88 | Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм.
Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений. Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик | |||
| ГОСТ 18472-88 | Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы | |||
| ГОСТ 18577-80 | Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1981 | действующий |
| Название (англ.): Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе | |||
| ГОСТ 18604.0-83 | Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений | |||
| ГОСТ 18604.1-80 | Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.2-80 | Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах | |||
| ГОСТ 18604.3-80 | Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности | |||
| ГОСТ 18604.4-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 01.10.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.5-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.6-74 | Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА | |||
| ГОСТ 18604.7-74 | Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току) | |||
| ГОСТ 18604.8-74 | Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Transistors. Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой) | |||
| ГОСТ 18604.9-82 | Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока | 01.01.1984 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока | |||
| ГОСТ 18604.10-76 | Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления | 01.01.1978 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 | |||
| ГОСТ 18604.11-88 | Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах | 01.01.1990 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на высоких и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст. минус 4 до 12,0 ГГц | |||
| ГОСТ 18604.13-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы:
измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности и определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора | |||
| ГОСТ 18604.14-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.15-77 | Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока | 01.07.1978 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar microwave oscillator transistors. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте | |||
| ГОСТ 18604.16-78 | Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | 01.07.1979 | действующий |
| Название (англ.): Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | |||
| ГОСТ 18604.19-88 | Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения | 01.07.1989 | действующий |
| Название (англ.): Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения | |||
